XRF 廣泛應用於 RoHS、Halogen-Free（無鹵）及其他有害元素分析。目前市面上X 光管（X-ray Tube）常見的靶材包括 Rh（Rhodium） 與 W（Tungsten）。經常有人認為：「W 靶比較適合分析 Cl」、「W 靶對輕元素靈敏度較佳」。然而，這些說法多半源自早期 XRF 系統的技術限制。隨著高解析度 SDD 偵測器及光譜演算法的發展，目前高階 XRF 已能有效克服這些問題。
Rh 靶為何廣泛應用於 RoHS？
Rh 靶的特徵 X 光能量約為 20.2 keV，可有效激發 Cr、Br、Hg、Pb 及 Cd 等 RoHS 管制元素，因此長期以來一直是 RoHS 分析最普遍採用的光管配置。
此外，Rh 靶在 Cd（23.17 keV） 能量區域通常具有較低的背景值，可提供較佳的訊噪比（Signal-to-Noise Ratio, S/N），進而降低檢測下限（Limit of Detection, LOD）。由於 RoHS 六項有害物質中，以 Cd 的法規限值最低（100 ppm），因此儀器對 Cd 的分析能力往往是評估 RoHS 性能的重要指標。Rh 靶兼具良好的 Cd 激發效率與較低背景，因此至今仍是 RoHS 分析最成熟且廣泛採用的光管配置。
W 靶的特性
W 靶的主要特徵峰位於 8.40 keV，對部分元素具有良好的激發能力，因此亦被部分 XRF 系統採用。
然而，W 靶在 8～10 keV 能量區域具有較強的特徵訊號，也可能增加鄰近元素的背景值，因此是否適合仍須依分析目的及整體系統設計而定，而非所有應用都優於 Rh 靶。
例如：
• 在 Hg Lα（9.99 keV） 附近可能增加背景訊號，對低濃度 Hg 的分析較不利。
• 在 Pb Lα（10.55 keV） 附近可能提高背景值，使重複性（Repeatability）及檢測靈敏度下降。
• 對 Cd 的激發效率通常不如 Rh 靶，需要延長測試時間才能獲得相同的統計精度。
因此，W 靶並非適用於所有分析需求，而是具有特定應用上的優勢與限制。
Rh 靶真的不適合分析 Cl 嗎？
這是目前最常見的誤解之一。
由於 Cl Kα（2.62 keV） 與 Rh Lα（2.70 keV） 的能量僅相差約 80 eV，早期採用低解析度 Si-PIN Detector 的 XRF 系統，確實可能因能量解析度不足而造成光譜重疊，因此曾有「Rh 靶不適合分析 Cl」的說法。
然而，這項限制主要來自於偵測器解析度，而非 Rh 靶本身。
目前高階 XRF 已普遍採用 Silicon Drift Detector（SDD），並搭配 Spectrum Deconvolution（光譜解卷積）、Fundamental Parameters（FP）演算法 及 Matrix Correction（基體修正），已能有效區分 Cl 與 Rh 的相鄰能譜，因此 Rh 靶同樣可廣泛應用於 RoHS 與 Halogen-Free 分析。
以 Bruker TITAN 手持式 XRF 為例，採用最新一代 20 mm² Large Area Silicon Drift Detector（SDD），具備 <140 eV 的高能量解析度及 800,000 cps 高計數率，搭配輕元素專用濾波器與 Bruker 專利光譜解析演算法，可有效分離 Cl 與 Rh 的相鄰能譜訊號，避免傳統低解析度系統可能產生的光譜重疊問題。
結論
Rh 與 W 光管各有其設計特色，並沒有絕對的優劣之分。現代 XRF 的分析性能，不僅取決於光管靶材，更重要的是偵測器解析度、光譜演算法、濾波器設計及整體系統架構。
對於 RoHS 與 Halogen-Free 分析而言，採用高解析度 SDD 的 Rh 靶 XRF 已能有效克服早期 Cl 能譜重疊的限制，同時兼具優異的 Cd 檢測能力，因此至今仍是全球高階 XRF 系統最成熟且最廣泛採用的光管配置之一。
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